Bidh na Stàitean Aonaichte a’ leasachadh stuthan semiconductor le seoltachd teirmeach àrd gus teasachadh chip a chumail fodha.
Leis an àrdachadh anns an àireamh de transistors anns a 'chip, tha coileanadh coimpiutaireachd a' choimpiutair a 'leantainn air adhart a' leasachadh, ach tha an dùmhlachd àrd cuideachd a 'toirt a-mach mòran àiteachan teth.
Às aonais teicneòlas riaghlaidh teirmeach ceart, a bharrachd air a bhith a ’slaodadh sìos astar obrachaidh a’ phròiseasar agus a ’lughdachadh earbsachd, tha adhbharan ann cuideachd airson casg a chuir air cus teasachadh agus feumach air lùth a bharrachd, a’ cruthachadh duilgheadasan neo-èifeachdas lùtha.Gus an duilgheadas seo fhuasgladh, leasaich Oilthigh California, Los Angeles stuth semiconductor ùr le giùlan teirmeach fìor àrd ann an 2018, a tha air a dhèanamh suas de boron arsenide gun lochd agus boron phosphide, a tha coltach ris na stuthan sgaoilidh teas a th ’ann mar-thà. daoimean agus silicon carbide.co-mheas, le barrachd air 3 tursan an giùlan teirmeach.
San Ògmhios 2021, chleachd Oilthigh California, Los Angeles, stuthan semiconductor ùra gus a dhol còmhla ri sgoltagan coimpiutair àrd-chumhachd gus gineadh teas nan sgoltagan a chumail fodha gu soirbheachail, agus mar sin ag adhartachadh coileanadh coimpiutair.Chuir an sgioba rannsachaidh a-steach an semiconductor boron arsenide eadar a’ chip agus an sinc teas mar mheasgachadh den sinc teas agus a’ chip gus buaidh sgaoileadh teas a leasachadh, agus rinn iad sgrùdadh air coileanadh riaghlaidh teirmeach an fhìor inneal.
Às deidh dha an substrate boron arsenide a cheangal ris a ’bheàrn lùth farsaing gallium nitride semiconductor, chaidh a dhearbhadh gun robh giùlan teirmeach an eadar-aghaidh gallium nitride / boron arsenide cho àrd ri 250 MW / m2K, agus ràinig an aghaidh teirmeach eadar-aghaidh ìre glè bheag.Tha an substrate boron arsenide air a chur còmhla nas motha le sliseag transistor gluasaid àrd-eileagtronaigeach air a dhèanamh suas de alùmanum gallium nitride / gallium nitride, agus thathas a’ dearbhadh gu bheil a ’bhuaidh sgaoilidh teas gu math nas fheàrr na buaidh daoimean no silicon carbide.
Bha an sgioba rannsachaidh ag obrachadh a’ chip aig a’ chomas as àirde, agus a’ tomhas an àite teth bho theodhachd an t-seòmair chun an teòthachd as àirde.Tha na toraidhean deuchainneach a’ sealltainn gur e teòthachd an sinc teas daoimean 137 ° C, gu bheil an sinc teas silicon carbide aig 167 ° C, agus nach eil an sinc teas boron arsenide ach 87 ° C.Tha giùlan teirmeach sàr-mhath an eadar-aghaidh seo a’ tighinn bhon structar còmhlan fononic sònraichte de boron arsenide agus amalachadh an eadar-aghaidh.Chan e a-mhàin gu bheil giùlan teirmeach àrd aig an stuth boron arsenide, ach tha eadar-aghaidh teirmeach beag aige cuideachd.
Faodar a chleachdadh mar sinc teas gus cumhachd obrachaidh inneal nas àirde a choileanadh.Thathas an dùil gun tèid a chleachdadh ann an conaltradh gun uèir aig astar fada, le comas àrd san àm ri teachd.Faodar a chleachdadh ann an raon cumhachd àrd tricead electronics no eileagtronaigeach pacaidh.
Ùine puist: Lùnastal-08-2022